技术特点

1、IGBT 是电力晶体管 (GTR) 和电力效应晶体管 MOSFET) 的复合体 , 它综合了 GTR 和 SFT 的优点 , 因而具有良好 的特性。

2、IGBT 中频电源采用电容与感应圈串联形式连接电路 , 因采用调频调功 , 整流桥处于不控状态，功率因数高达 0.96 以上；工作过程中谐波小。

3、IGBT 晶体管控制特点与可控硅相比不但可以控制导通，还可以任意自主控制关断，不像可控硅被动关断且需要 时间，使逆变功率因数也更高(≧ 97%） ，同等的进线电压（380V）炉体电压更高 , IGBT 逆变电压在 2800V 左右 , 传 统可控硅的逆变电压仅为 750 最大 800v, 电压高了近四倍 , 线路损耗小 , 可节能 15%。

4、恒功率输出 .IGBT 中频电源调频调功相对于传统可控硅中频电源调压调功 , 它不受炉料多少 , 炉衬壁薄厚的影响 , 在整个熔炼过程中接近恒功率输出。传统可控硅中频电源加热过程中受磁感量变化大的影响起初熔炼功率小 , 影响熔炼 速度，可控硅电源的功率是随着熔炼时间及磁感量变化而变化的 , 由小功率慢慢提高到大功率运行的过程 , 降低了变压 器的容量利用率提高了生产成本 , 在这一点上能节能 3%--5% 左右。